شبیه سازی رشد لایه های نازک در حضور ذرات فعال و ناخالصی
Authors
abstract
در این مقاله در چارچوب مدل انباشت بالستیک به شبیه سازی رشد لایه های نازک در حضور دو نوع ذره فعال (a) و ناخالصی(c) می پردازیم و نمای مقیاسی رشد و نمای مقیاسی زبری را به دست می آوریم و آن ها را با کلاس جهانی ارائه شده توسط کاردار-پاریزی-ژانگ (kpz) مقایسه می کنیم. نتایج به دست آمده وجود یک احتمال بحرانی را نشان می دهند، به گونه ای که به ازای مقادیر کوچکتر از ، مدل انباشت مورد نظر ما در کلاس جهانی kpz قرار می گیرد، درحالی که به ازای مقادیر بزرگتر از مدل مطالعه شده در این مقاله از کلاس جهانی kpz تبعیت نمی کند.
similar resources
شبیه‌سازی رشد لایه‌های نازک در حضور ذرات فعال و ناخالصی
در این مقاله در چارچوب مدل انباشت بالستیک به شبیه‌سازی رشد لایه‌های نازک در حضور دو نوع ذره فعال (A) و ناخالصی(C) می‌پردازیم و نمای مقیاسی رشد و نمای مقیاسی زبری را به‌دست می‌آوریم و آنها را با کلاس جهانی ارائه شده توسط کاردار-پاریزی-ژانگ (KPZ) مقایسه می‌کنیم. نتایج به‌دست‌آمده وجود یک احتمال بحرانی را نشان می‌دهند، به‌گونه‌ای که به‌ازای مقادیر کوچکتر از ، مدل انباشت مورد نظر ما در کلاس جه...
full textمدل سازی و شبیه سازی اثر دمای زیر لایه بر واکنش های سطحی در رشد فیلم نازک GaAs به روش تبخیر شیمیایی
در این کار، شبیه سازی رشد لایه ی نازکGaAs به کمک روش تبخیر شیمیایی در محیط نرم افزار COMSOL Multiphysics انجام گردیده است. به منظور مقایسه نتایج شبیه سازی با نتایج تجربی، تمامی جزییات شبیه سازی و واکنش های مربوط به تشکیل GaAs بر مبنای یک آزمایش تجربی و نتایج آن صورت گرفت.جزئیات مراحل تعریف واکنش ها، طراحی محفظه، مطالعه روابط شیمیایی و ترمودینامیکی مربوطه و تحلیل مش ها شرح داده شد. پارامتر هایی ...
full textشبیه سازی دینامیک ملکولی ذخیره سازی هیدروژن در نانو ذرات FeTi و نانو لوله های کربنی تک لایه (SWNT)
یافتن روشی مناسب برای ذخیره سازی مقدار زیادی گاز هیدروژن و با ایمنی لازم برای استفاده در خودروها و سایر تجهیزات همچنان توجه مراکز پژوهشی انرژی و محیط زیست را به خود جلب نموده است. در این پژوهش با انجام شبیه سازی دینامیک ملکولی (MD) میزان هیدروژن جذب شده در سیستم نانو ذرات FeTi و نانو لوله ها کربنی تک لایه (SWNT) در محدوده دمایی 100-60 کلوین، با محاسبه مقدار جذب هیدروژن (θ)، آنتالپی جذب (q) و ...
full textمطالعه رسانندگی و اختلاف سطح الکتریکی در لایه های نازک چند بلوری CuInTe2 و CuInSe2 همراه با ناخالصی اندیم
مواد CuInTe2 و CuInSe2 از نوع مثبت (P ) چند بلوری هستند که با افزودن درصدی اندیم به ترکیب عنصری این مواد، قابلیت رسانندگی آنها افزایش می یابد. با تغییر ضریبهای هال RH<...
full textMy Resources
Save resource for easier access later
Journal title:
پژوهش سیستم های بس ذره ایPublisher: دانشگاه شهید چمران اهواز
ISSN 2322-231X
volume 3
issue 5 2013
Hosted on Doprax cloud platform doprax.com
copyright © 2015-2023